微電子學(xué)雜志基礎(chǔ)信息：

《微電子學(xué)》雜志創(chuàng)辦于1970年，當(dāng)年試刊4期。1971年正式創(chuàng)刊，1976年因故停刊，1977年復(fù)刊。1979年以前每年不定期出版4～6期；1980年起正式定為雙月刊。創(chuàng)刊三十年來，在廣大讀者和作者的熱心支持和辛勤澆灌下，《微電子學(xué)》已經(jīng)成為半導(dǎo)體和微電子學(xué)界和業(yè)界頗具影響的專業(yè)期刊。《微電子學(xué)》主要報道國內(nèi)微電子科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的最新科研成果，重點關(guān)注模擬集成電路和專用集成電路技術(shù)的研究及其產(chǎn)品的推廣應(yīng)用。讀者對象為：半導(dǎo)體行業(yè)科研人員、工程師、電子行業(yè)機關(guān)管理干部，各大專院校相關(guān)專業(yè)師生等。

微電子學(xué)雜志期刊榮譽：

《微電子學(xué)》雜志是《中文核心期刊要目總覽》認定的“中文核心期刊”，英國INSPEC（SA）數(shù)據(jù)庫、美國《化學(xué)文摘》（CA）、《劍橋科學(xué)文摘》（CSA）、俄羅斯《文摘雜志》（AJ）、日本《科學(xué)技術(shù)文獻速報》（CBST）、波蘭《哥白尼索引》（IC）等國際知名數(shù)據(jù)庫的收錄期刊，《中國學(xué)術(shù)期刊綜合評價數(shù)據(jù)庫》、《中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫》來源期刊和《中國科技論文統(tǒng)計與分析》的引用期刊。

微電子學(xué)雜志欄目設(shè)置：

本刊主要欄目有：研究論文、技術(shù)報告、綜合評述、技術(shù)展望、產(chǎn)品與應(yīng)用。

微電子學(xué)雜志訂閱方式：

ISSN：1004-3365，CN：50-1090/TN，地址：重慶市南坪花園路14號24所，郵政編碼：400060。

微電子學(xué)雜志社相關(guān)期刊

沒有相關(guān)工業(yè)

微電子學(xué)雜志社投稿信息

1.頁面設(shè)置應(yīng)按下面格式：字數(shù)/行數(shù)：46字/46行；頁邊距設(shè)為：上2.54厘米，下2.54厘米，左2厘米，右2厘米；文章篇名為二號黑體，正文內(nèi)容為5號宋體；文章正文和參考文獻設(shè)為雙欄，中英文篇名及摘要等設(shè)為通欄。

2.文章應(yīng)包含摘要和3～8個關(guān)鍵詞，還須附上相應(yīng)的英文題名、摘要、關(guān)鍵詞、作者單位正式對外英譯名。文后應(yīng)附150字以內(nèi)的第一作者簡歷（含姓名、出生年月、性別、籍貫、民族等）。基金項目請注明編號。

3.標(biāo)題和摘要。論文標(biāo)題不超過20個漢字。中英文摘要應(yīng)簡明扼要，說明文章的目的，主要工作過程及使用的方法，研究工作最后得到的結(jié)果和結(jié)論。中文摘要不超過300個漢字，英文摘要不超過150個英文單詞。

4.作者簡介。作者簡介應(yīng)包括：作者姓名、出生年、性別、民族、籍貫、職稱/學(xué)位，和主要研究方向。

5.圖。文內(nèi)插圖應(yīng)精選，以不超過5幅為宜。插圖寬度應(yīng)小于8cm。插圖中的文字應(yīng)清晰可辨，字號統(tǒng)一選用小五號，中文選仿宋體，西文選TimesNewRoman。電路仿真圖及其他計算機生成的圖形須用圖形處理軟件進行必要的處理，使圖中的文字和數(shù)字符合本刊要求。若有彩色圖形，請轉(zhuǎn)換成黑白圖形。若圖中有坐標(biāo)，需注明坐標(biāo)所表示的物理量（斜體）和單位（正體）。若有圖注，放在圖的下部。每幅圖均應(yīng)標(biāo)明圖號，給出圖題。

6.表。表格提倡三線表，必要時可加輔助線。表號和表題放在表上。表中參數(shù)應(yīng)標(biāo)明量和單位（用符號），若單位相同，可統(tǒng)一寫在表關(guān)或表頂線上右側(cè)。若有表注，寫在表底線下左側(cè)。

7.量和單位。文中的物理量和單位應(yīng)符合國家有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。注意區(qū)分外文字母的大、小寫,正、斜體、上下角標(biāo)要標(biāo)示清楚。計量單位請用GB3100—3102—93《量和單位》規(guī)定的法定計量單位。

8.參考文獻。文后參考文獻的著錄應(yīng)符合國家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。主要有以下幾種形式：

a.專著：[序號]　著者.書名[M].出版地:出版者，出版年.起止頁碼（任選）.

b.期刊：[序號]　著者.篇名[J].刊名，出版年；卷號（期號）：起止頁碼.

c.論文集：[序號]著者.篇名[A].會議名[C].開會地，出版年.起止頁碼.

9.請注明作者工作單位和詳細通訊地址及聯(lián)系電話或電子信箱。單位或聯(lián)系人地址如有變動，請及時通知編輯部。

微電子學(xué)雜志社編輯部征稿60Coγ射線低能散射對CMOS器件電離輻射效應(yīng)的影響總劑量輻射效應(yīng)中的輻射源及劑量測量基于動態(tài)計算可觀測性無關(guān)項的OBDD變量序算法超大容量語音系統(tǒng)的存貯方法研究單片MCU內(nèi)部的電磁兼容性設(shè)計研究子網(wǎng)絡(luò)故障模型及其應(yīng)用SiGeMOS器件SiO_2柵介質(zhì)低溫制備技術(shù)研究硅的橫向刻蝕技術(shù)研究無線通信領(lǐng)域MEMS器件的研究進展CMOS單元版圖生成算法綜述I2C總線接口技術(shù)在視頻處理芯片中的應(yīng)用低功耗CMOS低噪聲放大器的分析與設(shè)計一種增益可控音頻前置放大器電路的設(shè)計一種12位50MSPS流水線逐次逼近A/D轉(zhuǎn)換器一種基于高壓工藝的高精度電流采樣電路一種用于半并行A/D轉(zhuǎn)換器的比較器設(shè)計通用二階曲率補償帶隙基準(zhǔn)電壓源數(shù)字電視調(diào)諧器中鎖相環(huán)鎖定時間的計算一種應(yīng)用于DSP嵌入式存儲器的靈敏放大器設(shè)計一種可切換的雙頻段CMOS低噪聲放大器一種新型低電壓極限電流檢測電路CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術(shù)